전략 희토류 사용량 극감을 위한 미세구조 정밀 제어 기술
희토류는 주기율표에서 란타넘 계열 15개 원소와 스칸듐Sc·이트륨Y을 포함한 17개 원소를 말한다. 이 가운데 네오디뮴 자석 제조에 사용되는 원소는 중희토류인 Tb·Dy와 경희토류인 네오디뮴Nd·프라세오디뮴Pr이다. 미세구조 정밀 제어로 이러한 전략 희토류 사용량을 배제·저감하기 위한 핵심기술은 ① 입자 미세화 기술 ② 입계 확산 기술이다.
입자 미세화 기술이란 영구자석 결정립을 현재 수 마이크론 크기에서 이론적으로는 단자구Single Domain 크기인 약 300나노미터까지 작게 만드는 것이다. 현재 대부분의 네오디뮴 자석은 분말 야금 공정을 통해 제조되고 있다. 따라서 입자 미세화를 위해서는 기존의 수 마이크론 크기의 출발 합금 분말을 최대한 작게 만드는 것이 중요하다. 이를 위해서는 기존의 톱다운Top-down 방식인 젯밀Jet-milling 공정을 대체할 새로운 합금 분말 제조공정 개발이 필요하다. 환원-확산Reduction-Diffusion 공정은 버텀업Bottom-up 방식으로 1마이크론급 분말 제조가 가능하다.
환원 확산 공정 기반 극미세 희토 합금 분말(왼쪽)과 기존 젯밀 공정 기반 희토 합금 분말(오른쪽).
한편 이렇게 제조된 분말은 성형 후 고온에서 소결을 통해 영구자석으로 제조되는데, 고온 소결 과정에서 결정립 성장이라는 현상이 발생한다. 이러한 결정립 성장을 최대한 억제하는 것도 입자 미세화를 위해 매우 중요하다. 이렇게 제조된 네오디뮴 소결자석은 미세한 결정립들과 결정립 경계면인 결정립계로 이루어져 있다. 결정립계에는 다수의 조직학적인 결함이 존재하고 철의 함량이 높아, 결정립 간에 자기적인 커플링을 유도해 자기적 특성 저하를 유발한다.
입계 확산 기술이란 이러한 계면 결함을 제거하고 결정립 간의 자기적 커플링을 억제하기 위해 정밀하게 설계된 저융점 확산물질을 자석 표면에 도표한 후 열처리해 결정립 계면을 따라 정밀 확산시키는 기술이다. 이러한 입계 확산 공정에서도 결정립 성장이 발생하기 때문에 결정립 성장 억제가 중요하다. 본 연구팀에서는 최근 ‘2단계 입계 확산 공정 기술’을 개발해 입계 확산 공정 중의 결정립 성장을 억제함에 따라, 중희토류를 사용하지 않고도 매우 높은 보자력(자기이방성과 동일한 개념)을 가지는 네오디뮴 자석을 제조할 수 있었다.
한편 네오디뮴 자석 무게의 약 30%를 차지하는 경희토인 Nd도 수요 급증에 따라 가격이 지속적으로 상승하고 있기 때문에, Nd 사용량을 얼마나 줄일 수 있는지가 앞으로의 기술경쟁력에서 매우 중요하다. 본 연구팀에서는 네오디뮴 자석에서 Nd를 세륨Ce으로 치환하는 연구를 수행해오고 있다. Ce는 위에서도 언급했지만 매장량과 생산량이 많아 수급 문제가 없을 뿐 아니라, 산업 활용도가 적어 가격이 Nd의 거의 1/100 수준으로 저렴하다. 따라서 Nd 일부를 Ce로 대체할 경우, 희토류 수급 문제 해결뿐 아니라 자석 부품의 가격경쟁력까지 확보할 수 있다.
희토류 매장량 :
희토류는 결코 희귀한
원소가 아니다. 세륨Ce
매장량은 구리Cu와
비슷할 정도로
풍부하다.
하지만 네오디뮴 자석에서 Nd를 Ce로 치환하면 자석의 성능이 크게 저하되는 문제가 있다. 그 원인을 규명한 결과, Ce 첨가에 따라 자석 내에 Ce가 응집된 불필요한 비자성 입자의 형성이 자기 특성 저하를 유발한다는 것을 확인했다. 따라서 이러한 불필요한 비자성 입자 형성을 억제하기 위해 멜트스핀법과 저온 이방 벌크화가 가능한 열간 변형 공정을 이용해, 불필요한 비자성 입자를 포함하지 않는 Ce 치환형 전구체 분말과 최종 고특성 영구자석 제조에 성공했다. 현재 Ce 약 30% 치환 네오디뮴 자석 소재 기술을 기반으로, 실증연구와 더불어 Ce 치환량을 30% 이상으로 늘리면서 고특성을 확보할 수 있는 기술 개발도 진행 중이다.
한국재료연구원에서 개발한 멜트스핀법과 열간 변형법을 적용해
세륨의 함량을 높인 자석 원료들과 하이브리드 자동차 구동 모터용 영구자석.